Nos es grato invitarles al seminario gratuito que AFC Ingenieros, en colaboración con nuestra representada Rohde & Schwarz, impartirá el 28 de marzo (jueves) de 2019, en:
Rohde & Schwarz España
Av. Manoteras, 6
Madrid
Destinatarios:
Directores técnicos, gerentes de oficinas técnicas, gerentes de control de calidad, diseñadores, técnicos de laboratorio, grupos de investigación, spin-off universitarios, consultores.
Objetivo:
Los convertidores de alta densidad de potencia se están convirtiendo en una tendencia dominante en varios sectores de aplicación, incluso muy diferentes entre sí, tales como aviónica, espacio, energías renovables y vehículos eléctricos, impulsados por la demanda cada vez mayor de consumo de combustible, emisiones, peso y volumen del equipo. Este seminario examina soluciones y conceptos de topología avanzada que se han aplicado con éxito a los convertidores DC/DC para lograr una alta densidad de potencia y una alta eficiencia.
Se esperan importantes beneficios con el uso de dispositivos SiC y GaN. Sin embargo, estos beneficios dependen no sólo del mejor desempeño de estos últimos, sino también de cómo se integran en los circuitos y cómo el dispositivo administra la energía en base al proyecto y a la topología. Se presta especial atención al uso y control de los dispositivos GaN. También se analizarán varios ejemplos de proyectos de investigación recientes dirigidos a aumentar la densidad de potencia y la eficiencia, mostrando también algunos detalles importantes del diseño de los componentes magnéticos.
Programa de la jornada:
Horario
| Hora | Descripción |
| 08:30 – 08:45 | Registro. |
| 08:45 – 09:00 | Bienvenida e Introducción (L.Nanetti – R&S Channel Sales Manager, A. Bravo – AFC CEO). |
| 09:00 – 10:15 | Revisión de topologías avanzadas de etapas de potencia. |
| 10:15 – 11:00 | Diseño y comparación de tecnologías de semiconductores: Si, SiC, GaN (1). |
| 11:00 – 11:30 | Desayuno. |
| 11:30 – 12:00 | Sesión “hands on”. Demostración de equipos. |
| 12:00 – 12:30 | Diseño y comparación de tecnologías de semiconductores: Si, SiC, GaN (2). |
| 12:30 – 13:45 | Diseño y optimización de componentes magnéticos. |
| 13:45 – 14:00 | Ruegos y preguntas. |
| 14:00 – 15:00 | Almuerzo. |
| 15:00 – 16:00 | Sesión “hands on”. Demostración de equipos. |
Ponente
Dr. Miroslav Vasić
Recibió el B.S. egresado de la Escuela de Ingeniería Eléctrica, Universidad de Belgrado, Belgrado, Serbia, en 2005. Desde entonces, ha estado trabajando en el Centro de Electrónica Industrial en ETSII (UPM), donde recibió su maestría. en 2007 y su doctorado. Grado en 2010. Trabaja como profesor asistente en la UPM desde 2015.
Su interés investigador incluye la aplicación de convertidores de potencia y su optimización. En los últimos años, una gran parte de sus actividades de investigación se ha relacionado con la investigación de nuevos dispositivos semiconductores basados en GaN y su impacto en la electrónica de potencia. Miroslav Vasić posee varias patentes y ha publicado más de 60 artículos técnicos. En 2012 recibió el Premio a la Innovación de Semikron por el trabajo en equipo en “Amplificador de potencia de RF con mayor eficiencia y ancho de banda”. En 2015 recibió una medalla de la Real Academia de Ingeniería de España como un reconocimiento a su trayectoria de investigación. En 2016, UPM le otorgó el premio “Proyección de Investigación”, por su trabajo de investigación como joven profesor.
El aforo de la sala está limitado a 40 personas.
Se ruega a las personas interesadas que ese inscriban a la mayor brevedad posible dirigiéndose a esta dirección de email:
sdelgado@afc-ingenieros.com
Se aceptarán inscripciones hasta agotar las plazas.